SSM6J206FE(TE85L,F 価格設定（USD） [460582個在庫]
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- 4,000 pcs$0.08834
- 詳細な説明:
- MOSFET P-CH 20V 2A ES6.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-JFET, トランジスタ-FET、MOSFET-シングル, ダイオード-RF, トランジスタ-IGBT-シングル, ダイオード-ブリッジ整流器, サイリスタ-SCR, パワードライバーモジュール and トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアスを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Toshiba Semiconductor and Storage SSM6J206FE(TE85L,F electronic components. SSM6J206FE(TE85L,F can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SSM6J206FE(TE85L,F, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
SSM6J206FE(TE85L,F 製品の属性
品番 :
SSM6J206FE(TE85L,F
メーカー :
Toshiba Semiconductor and Storage
説明 :
MOSFET P-CH 20V 2A ES6
シリーズ :
-
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
P-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
20V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
2A (Ta)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
1.8V, 4V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
130 mOhm @ 1A, 4V
Vgs（th）（最大）@ Id :
1V @ 1mA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
-
Vgs（最大） :
±8V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
335pF @ 10V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
500mW (Ta)
動作温度 :
150°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ :
ES6 (1.6x1.6)
パッケージ/ケース :
SOT-563, SOT-666
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