Toshiba Semiconductor and Storage - SSM6J206FE(TE85L,F

KEY Part #: K6407501

SSM6J206FE(TE85L,F 価格設定(USD) [460582個在庫]

  • 1 pcs$0.08878
  • 4,000 pcs$0.08834

品番:
SSM6J206FE(TE85L,F
メーカー:
Toshiba Semiconductor and Storage
詳細な説明:
MOSFET P-CH 20V 2A ES6.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-FET、MOSFET-RF, ダイオード-整流器-アレイ, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, サイリスタ-SCR, パワードライバーモジュール, トランジスタ-JFET, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル、プリバイアス and トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングルを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in Toshiba Semiconductor and Storage SSM6J206FE(TE85L,F electronic components. SSM6J206FE(TE85L,F can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SSM6J206FE(TE85L,F, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SSM6J206FE(TE85L,F 製品の属性

品番 : SSM6J206FE(TE85L,F
メーカー : Toshiba Semiconductor and Storage
説明 : MOSFET P-CH 20V 2A ES6
シリーズ : -
部品ステータス : Active
FETタイプ : P-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 20V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 2A (Ta)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 1.8V, 4V
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 130 mOhm @ 1A, 4V
Vgs(th)(最大)@ Id : 1V @ 1mA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : -
Vgs(最大) : ±8V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 335pF @ 10V
FET機能 : -
消費電力(最大) : 500mW (Ta)
動作温度 : 150°C (TJ)
取付タイプ : Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ : ES6 (1.6x1.6)
パッケージ/ケース : SOT-563, SOT-666

あなたも興味があるかもしれません
  • ZVN0124A

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 240V 0.16A TO92-3.

  • ZVNL110ASTZ

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 100V 320MA TO92-3.

  • ZVN4206AVSTZ

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 60V 0.6A TO92-3.

  • IRFN214BTA_FP001

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 250V 0.6A TO-92.

  • IRFR224BTM_TC002

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 250V 3.8A DPAK.

  • IRFR420BTM

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 500V 2.3A DPAK.