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- 品番:
- PSMN040-200W,127
- メーカー:
- NXP USA Inc.
- 詳細な説明:
- MOSFET N-CH 200V 50A SOT429.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
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- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-FET、MOSFET-RF, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター）, ダイオード-整流器-シングル, ダイオード-RF, トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル and ダイオード-ブリッジ整流器を含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
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- We specialize in NXP USA Inc. PSMN040-200W,127 electronic components. PSMN040-200W,127 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for PSMN040-200W,127, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
PSMN040-200W,127 製品の属性
品番 :
PSMN040-200W,127
メーカー :
NXP USA Inc.
説明 :
MOSFET N-CH 200V 50A SOT429
シリーズ :
TrenchMOS™
部品ステータス :
Obsolete
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
200V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
50A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
40 mOhm @ 25A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
4V @ 1mA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
183nC @ 10V
Vgs（最大） :
±20V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
9530pF @ 25V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
300W (Tc)
動作温度 :
-55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ :
Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ :
TO-247-3
パッケージ/ケース :
TO-247-3
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