Taiwan Semiconductor Corporation - RS1GL R3G

KEY Part #: K6450736

RS1GL R3G 価格設定(USD) [1151740個在庫]

  • 1 pcs$0.03211

品番:
RS1GL R3G
メーカー:
Taiwan Semiconductor Corporation
詳細な説明:
DIODE GEN PURP 400V 800MA SUBSMA. Rectifiers 1A, 400V, GP SMF FAST RECOVERY
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-ブリッジ整流器, サイリスタ-DIAC、SIDAC, トランジスタ-FET、MOSFET-シングル, トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, トランジスタ-IGBT-モジュール, ダイオード-整流器-シングル, ダイオード-ツェナー-アレイ and トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ、プリバイアスを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in Taiwan Semiconductor Corporation RS1GL R3G electronic components. RS1GL R3G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for RS1GL R3G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

RS1GL R3G 製品の属性

品番 : RS1GL R3G
メーカー : Taiwan Semiconductor Corporation
説明 : DIODE GEN PURP 400V 800MA SUBSMA
シリーズ : -
部品ステータス : Active
ダイオードタイプ : Standard
電圧-DC逆方向(Vr)(最大) : 400V
電流-平均整流(Io) : 800mA
電圧-フォワード(Vf)(最大)@ If : 1.3V @ 800mA
速度 : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
逆回復時間(trr) : 150ns
電流-Vrでの逆漏れ : 5µA @ 400V
静電容量@ Vr、F : 10pF @ 4V, 1MHz
取付タイプ : Surface Mount
パッケージ/ケース : DO-219AB
サプライヤーデバイスパッケージ : Sub SMA
動作温度-ジャンクション : -55°C ~ 150°C

あなたも興味があるかもしれません
  • BAS20LT1

    ON Semiconductor

    DIODE GEN PURP 200V 200MA SOT23.

  • MA3XD1500L

    Panasonic Electronic Components

    DIODE SCHOTTKY 20V 1A MINI3.

  • MMBD914

    ON Semiconductor

    DIODE GEN PURP 100V 200MA SOT23.

  • MA3X15800L

    Panasonic Electronic Components

    DIODE GEN PURP 200V 100MA MINI3.

  • MBR1645/45

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 45V 16A TO220AB.

  • MBR10H100/45

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 100V 10A TO220AC.