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GeneSiC Semiconductor - 1N1186

KEY Part #: K6425457

1N1186 価格設定（USD） [11842個在庫]

  • 1 pcs$3.48004
  • 100 pcs$2.34311
品番:
1N1186
メーカー:
GeneSiC Semiconductor
詳細な説明:
DIODE GEN PURP 200V 35A DO5. Rectifiers 200V 35A Std. Recovery
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-IGBT-シングル, サイリスタ-トライアック, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアス, トランジスタ-特別な目的, トランジスタ-IGBT-モジュール, パワードライバーモジュール, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ and ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター）を含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in GeneSiC Semiconductor 1N1186 electronic components. 1N1186 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for 1N1186, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

1N1186 製品の属性

品番 : 1N1186
メーカー : GeneSiC Semiconductor
説明 : DIODE GEN PURP 200V 35A DO5
シリーズ : -
部品ステータス : Active
ダイオードタイプ : Standard
電圧-DC逆方向（Vr）（最大） : 200V
電流-平均整流（Io） : 35A
電圧-フォワード（Vf）（最大）@ If : 1.2V @ 35A
速度 : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
逆回復時間（trr） : -
電流-Vrでの逆漏れ : 10µA @ 50V
静電容量@ Vr、F : -
取付タイプ : Chassis, Stud Mount
パッケージ/ケース : DO-203AB, DO-5, Stud
サプライヤーデバイスパッケージ : DO-5
動作温度-ジャンクション : -65°C ~ 190°C
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