Infineon Technologies - BSZ900N15NS3GATMA1

KEY Part #: K6420359

BSZ900N15NS3GATMA1 価格設定(USD) [187296個在庫]

  • 1 pcs$0.19748

品番:
BSZ900N15NS3GATMA1
メーカー:
Infineon Technologies
詳細な説明:
MOSFET N-CH 150V 13A TDSON-8.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, ダイオード-RF, サイリスタ-SCR, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-RF, パワードライバーモジュール, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ and ダイオード-整流器-シングルを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in Infineon Technologies BSZ900N15NS3GATMA1 electronic components. BSZ900N15NS3GATMA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BSZ900N15NS3GATMA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

BSZ900N15NS3GATMA1 製品の属性

品番 : BSZ900N15NS3GATMA1
メーカー : Infineon Technologies
説明 : MOSFET N-CH 150V 13A TDSON-8
シリーズ : OptiMOS™
部品ステータス : Active
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 150V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 13A (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 8V, 10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 90 mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id : 4V @ 20µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 7nC @ 10V
Vgs(最大) : ±20V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 510pF @ 75V
FET機能 : -
消費電力(最大) : 38W (Tc)
動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ : PG-TSDSON-8
パッケージ/ケース : 8-PowerTDFN

あなたも興味があるかもしれません