FP50R12KT4B11BOSA1 価格設定（USD） [874個在庫]
- 1 pcs$53.08604
- メーカー:
- Infineon Technologies
- 詳細な説明:
- IGBT MODULE 1200V 50A.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、サイリスタ-SCR, ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター）, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, トランジスタ-FET、MOSFET-シングル, ダイオード-整流器-アレイ, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアス, サイリスタ-SCR-モジュール and トランジスタ-FET、MOSFET-RFを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Infineon Technologies FP50R12KT4B11BOSA1 electronic components. FP50R12KT4B11BOSA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FP50R12KT4B11BOSA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
FP50R12KT4B11BOSA1 製品の属性
品番 :
FP50R12KT4B11BOSA1
メーカー :
Infineon Technologies
説明 :
IGBT MODULE 1200V 50A
シリーズ :
*
部品ステータス :
Active
IGBTタイプ :
Trench Field Stop
構成 :
Three Phase Inverter
電圧-コレクターエミッターブレークダウン（最大） :
1200V
電流-コレクター（Ic）（最大） :
50A
パワー-最大 :
280W
Vce（on）（最大）@ Vge、IC :
2.15V @ 15V, 50A
電流-コレクターのカットオフ（最大） :
1mA
入力容量（Cies）@ Vce :
2.8nF @ 25V
入力 :
Standard
NTCサーミスタ :
Yes
動作温度 :
-40°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Chassis Mount
パッケージ/ケース :
Module
サプライヤーデバイスパッケージ :
Module
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