Vishay Semiconductor Diodes Division - VS-10ETS08STRRPBF

KEY Part #: K6443056

VS-10ETS08STRRPBF 価格設定(USD) [2922個在庫]

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品番:
VS-10ETS08STRRPBF
メーカー:
Vishay Semiconductor Diodes Division
詳細な説明:
DIODE GEN PURP 800V 10A TO263AB.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-JFET, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ, トランジスタ-IGBT-モジュール, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-RF, サイリスタ-SCR-モジュール, ダイオード-整流器-シングル, ダイオード-ツェナー-シングル and トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ、プリバイアスを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

VS-10ETS08STRRPBF 製品の属性

品番 : VS-10ETS08STRRPBF
メーカー : Vishay Semiconductor Diodes Division
説明 : DIODE GEN PURP 800V 10A TO263AB
シリーズ : -
部品ステータス : Discontinued at Digi-Key
ダイオードタイプ : Standard
電圧-DC逆方向(Vr)(最大) : 800V
電流-平均整流(Io) : 10A
電圧-フォワード(Vf)(最大)@ If : 1.1V @ 10A
速度 : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
逆回復時間(trr) : -
電流-Vrでの逆漏れ : 500µA @ 800V
静電容量@ Vr、F : -
取付タイプ : Surface Mount
パッケージ/ケース : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
サプライヤーデバイスパッケージ : TO-263AB (D²PAK)
動作温度-ジャンクション : -40°C ~ 150°C

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