Vishay Semiconductor Diodes Division - BYG23M-E3/TR

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品番:
BYG23M-E3/TR
メーカー:
Vishay Semiconductor Diodes Division
詳細な説明:
DIODE AVALANCHE 1KV 1.5A. Rectifiers RECOMMENDED ALT 625-BYG23M-E3/TR3
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-IGBT-アレイ, ダイオード-可変容量(バリキャップ、バラクター), サイリスタ-DIAC、SIDAC, ダイオード-整流器-シングル, ダイオード-RF, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, パワードライバーモジュール and サイリスタ-トライアックを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

BYG23M-E3/TR 製品の属性

品番 : BYG23M-E3/TR
メーカー : Vishay Semiconductor Diodes Division
説明 : DIODE AVALANCHE 1KV 1.5A
シリーズ : -
部品ステータス : Active
ダイオードタイプ : Avalanche
電圧-DC逆方向(Vr)(最大) : 1000V
電流-平均整流(Io) : 1.5A
電圧-フォワード(Vf)(最大)@ If : 1.7V @ 1A
速度 : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
逆回復時間(trr) : 75ns
電流-Vrでの逆漏れ : 5µA @ 1000V
静電容量@ Vr、F : -
取付タイプ : Surface Mount
パッケージ/ケース : DO-214AC, SMA
サプライヤーデバイスパッケージ : DO-214AC (SMA)
動作温度-ジャンクション : -55°C ~ 150°C

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