Vishay Semiconductor Diodes Division - 1N4004GPEHE3/54

KEY Part #: K6449895

[7158個在庫]


    品番:
    1N4004GPEHE3/54
    メーカー:
    Vishay Semiconductor Diodes Division
    詳細な説明:
    DIODE GEN PURP 400V 1A DO204AL.
    メーカーの標準リードタイム:
    在庫あり
    賞味期限:
    一年
    チップから:
    香港
    RoHS:
    支払方法:
    発送方法:
    家族のカテゴリー:
    KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-IGBT-シングル, ダイオード-ブリッジ整流器, トランジスタ-特別な目的, トランジスタ-FET、MOSFET-RF, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ、プリバイアス, ダイオード-ツェナー-アレイ, サイリスタ-SCR-モジュール and パワードライバーモジュールを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
    競争上の優位性:
    We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division 1N4004GPEHE3/54 electronic components. 1N4004GPEHE3/54 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for 1N4004GPEHE3/54, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    1N4004GPEHE3/54 製品の属性

    品番 : 1N4004GPEHE3/54
    メーカー : Vishay Semiconductor Diodes Division
    説明 : DIODE GEN PURP 400V 1A DO204AL
    シリーズ : SUPERECTIFIER®
    部品ステータス : Obsolete
    ダイオードタイプ : Standard
    電圧-DC逆方向(Vr)(最大) : 400V
    電流-平均整流(Io) : 1A
    電圧-フォワード(Vf)(最大)@ If : 1.1V @ 1A
    速度 : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
    逆回復時間(trr) : 2µs
    電流-Vrでの逆漏れ : 5µA @ 400V
    静電容量@ Vr、F : 8pF @ 4V, 1MHz
    取付タイプ : Through Hole
    パッケージ/ケース : DO-204AL, DO-41, Axial
    サプライヤーデバイスパッケージ : DO-204AL (DO-41)
    動作温度-ジャンクション : -65°C ~ 175°C

    あなたも興味があるかもしれません
    • RURD4120S9A

      ON Semiconductor

      DIODE GEN PURP 1.2KV 4A DPAK.

    • FYV0203SMTF

      ON Semiconductor

      DIODE SCHOTTKY 30V 200MA SOT23-3.

    • MMBD1501

      ON Semiconductor

      DIODE GEN PURP 200V 200MA SOT23.

    • MMBD1502A

      ON Semiconductor

      DIODE GEN PURP 200V 1A SOT23-3.

    • MMBD1702A

      ON Semiconductor

      DIODE GEN PURP 30V SOT23-3.

    • MMBD1701A

      ON Semiconductor

      DIODE GEN PURP 30V 50MA SOT23-3.