Infineon Technologies - FD1000R17IE4BOSA2

KEY Part #: K6533656

FD1000R17IE4BOSA2 価格設定(USD) [168個在庫]

  • 1 pcs$273.90251

品番:
FD1000R17IE4BOSA2
メーカー:
Infineon Technologies
詳細な説明:
IGBT MODULE VCES 1700V 1000A.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル, トランジスタ-FET、MOSFET-RF, サイリスタ-DIAC、SIDAC, ダイオード-ツェナー-シングル, ダイオード-可変容量(バリキャップ、バラクター), トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル、プリバイアス, ダイオード-整流器-アレイ and トランジスタ-FET、MOSFET-シングルを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FD1000R17IE4BOSA2 製品の属性

品番 : FD1000R17IE4BOSA2
メーカー : Infineon Technologies
説明 : IGBT MODULE VCES 1700V 1000A
シリーズ : -
部品ステータス : Active
IGBTタイプ : -
構成 : Single
電圧-コレクターエミッターブレークダウン(最大) : 1700V
電流-コレクター(Ic)(最大) : -
パワー-最大 : 6250W
Vce(on)(最大)@ Vge、IC : 2.45V @ 15V, 1000A
電流-コレクターのカットオフ(最大) : 5mA
入力容量(Cies)@ Vce : 81nF @ 25V
入力 : Standard
NTCサーミスタ : Yes
動作温度 : -40°C ~ 150°C
取付タイプ : Chassis Mount
パッケージ/ケース : Module
サプライヤーデバイスパッケージ : Module

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