Toshiba Semiconductor and Storage - TK35E08N1,S1X

KEY Part #: K6419409

TK35E08N1,S1X 価格設定(USD) [110596個在庫]

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品番:
TK35E08N1,S1X
メーカー:
Toshiba Semiconductor and Storage
詳細な説明:
MOSFET N-CH 80V 55A TO-220.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、サイリスタ-DIAC、SIDAC, ダイオード-ツェナー-アレイ, ダイオード-可変容量(バリキャップ、バラクター), トランジスタ-IGBT-シングル, サイリスタ-トライアック, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, トランジスタ-IGBT-モジュール and ダイオード-ブリッジ整流器を含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

TK35E08N1,S1X 製品の属性

品番 : TK35E08N1,S1X
メーカー : Toshiba Semiconductor and Storage
説明 : MOSFET N-CH 80V 55A TO-220
シリーズ : U-MOSVIII-H
部品ステータス : Active
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 80V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 55A (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 12.2 mOhm @ 17.5A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id : 4V @ 300µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 25nC @ 10V
Vgs(最大) : ±20V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 1700pF @ 40V
FET機能 : -
消費電力(最大) : 72W (Tc)
動作温度 : 150°C (TJ)
取付タイプ : Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ : TO-220
パッケージ/ケース : TO-220-3

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