メーカー :
Taiwan Semiconductor Corporation
説明 :
DIODE GEN PURP 800V 4A DO214AB
速度 :
Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
電流-Vrでの逆漏れ :
100µA @ 800V
静電容量@ Vr、F :
60pF @ 4V, 1MHz
パッケージ/ケース :
DO-214AB, SMC
サプライヤーデバイスパッケージ :
DO-214AB (SMC)
動作温度-ジャンクション :
-55°C ~ 150°C