Vishay Semiconductor Diodes Division - BAV23C-HE3-08

KEY Part #: K6478825

BAV23C-HE3-08 価格設定(USD) [1354008個在庫]

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品番:
BAV23C-HE3-08
メーカー:
Vishay Semiconductor Diodes Division
詳細な説明:
DIODE ARRAY GP 200V 200MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching 250 Volt 200mA 50ns Dual Common Cathode
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、サイリスタ-DIAC、SIDAC, ダイオード-ツェナー-アレイ, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, ダイオード-可変容量(バリキャップ、バラクター), トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル, トランジスタ-IGBT-モジュール, トランジスタ-特別な目的 and トランジスタ-FET、MOSFET-シングルを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division BAV23C-HE3-08 electronic components. BAV23C-HE3-08 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BAV23C-HE3-08, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

BAV23C-HE3-08 製品の属性

品番 : BAV23C-HE3-08
メーカー : Vishay Semiconductor Diodes Division
説明 : DIODE ARRAY GP 200V 200MA SOT23
シリーズ : Automotive, AEC-Q101
部品ステータス : Active
ダイオード構成 : 1 Pair Common Cathode
ダイオードタイプ : Standard
電圧-DC逆方向(Vr)(最大) : 200V
電流-平均整流(Io)(ダイオードごと) : 200mA (DC)
電圧-フォワード(Vf)(最大)@ If : 1.25V @ 200mA
速度 : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
逆回復時間(trr) : 50ns
電流-Vrでの逆漏れ : 100nA @ 200V
動作温度-ジャンクション : 150°C (Max)
取付タイプ : Surface Mount
パッケージ/ケース : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
サプライヤーデバイスパッケージ : SOT-23

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