ON Semiconductor - FEP16JT

KEY Part #: K6477764

[5313個在庫]


    品番:
    FEP16JT
    メーカー:
    ON Semiconductor
    詳細な説明:
    DIODE ARRAY GP 600V 16A TO220AB.
    メーカーの標準リードタイム:
    在庫あり
    賞味期限:
    一年
    チップから:
    香港
    RoHS:
    支払方法:
    発送方法:
    家族のカテゴリー:
    KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル、プリバイアス, サイリスタ-SCR-モジュール, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル, サイリスタ-DIAC、SIDAC, トランジスタ-FET、MOSFET-シングル, トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ and トランジスタ-FET、MOSFET-RFを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
    競争上の優位性:
    We specialize in ON Semiconductor FEP16JT electronic components. FEP16JT can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FEP16JT, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    FEP16JT 製品の属性

    品番 : FEP16JT
    メーカー : ON Semiconductor
    説明 : DIODE ARRAY GP 600V 16A TO220AB
    シリーズ : -
    部品ステータス : Obsolete
    ダイオード構成 : 1 Pair Common Cathode
    ダイオードタイプ : Standard
    電圧-DC逆方向(Vr)(最大) : 600V
    電流-平均整流(Io)(ダイオードごと) : 16A
    電圧-フォワード(Vf)(最大)@ If : 1.5V @ 8A
    速度 : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
    逆回復時間(trr) : 50ns
    電流-Vrでの逆漏れ : 10µA @ 600V
    動作温度-ジャンクション : -55°C ~ 150°C
    取付タイプ : Through Hole
    パッケージ/ケース : TO-220-3
    サプライヤーデバイスパッケージ : TO-220-3

    あなたも興味があるかもしれません
    • BAS28WE6327BTSA1

      Infineon Technologies

      DIODE ARRAY GP 80V 200MA SOT343.

    • BAS12507WE6327HTSA1

      Infineon Technologies

      DIODE ARRAY SCHOTTKY 25V SOT343.

    • MA6X12900L

      Panasonic Electronic Components

      DIODE ARRAY GP 200V 200MA MINI6.

    • FYV0203DSMTF

      ON Semiconductor

      DIODE ARRAY SCHOTTKY 30V SOT23-3.

    • FYV0203DNMTF

      ON Semiconductor

      DIODE ARRAY SCHOTTKY 30V SOT23-3.

    • MMBD1504

      ON Semiconductor

      DIODE ARRAY GP 200V 200MA SOT23.