Vishay Siliconix - SIHB30N60E-GE3

KEY Part #: K6416321

SIHB30N60E-GE3 価格設定(USD) [13494個在庫]

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品番:
SIHB30N60E-GE3
メーカー:
Vishay Siliconix
詳細な説明:
MOSFET N-CH 600V 29A D2PAK.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-FET、MOSFET-シングル, トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, サイリスタ-SCR-モジュール, ダイオード-可変容量(バリキャップ、バラクター), ダイオード-整流器-アレイ, トランジスタ-IGBT-モジュール, ダイオード-ツェナー-シングル and パワードライバーモジュールを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SIHB30N60E-GE3 製品の属性

品番 : SIHB30N60E-GE3
メーカー : Vishay Siliconix
説明 : MOSFET N-CH 600V 29A D2PAK
シリーズ : -
部品ステータス : Active
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 600V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 29A (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 125 mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id : 4V @ 250µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 130nC @ 10V
Vgs(最大) : ±30V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 2600pF @ 100V
FET機能 : -
消費電力(最大) : 250W (Tc)
動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ : D2PAK
パッケージ/ケース : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB