PMPB20XNEAZ 価格設定（USD） [382688個在庫]
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- 品番:
- PMPB20XNEAZ
- メーカー:
- Nexperia USA Inc.
- 詳細な説明:
- MOSFET N-CH 20V SOT1220.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
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- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, ダイオード-整流器-シングル, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ, トランジスタ-FET、MOSFET-シングル, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアス, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-RF, ダイオード-ツェナー-シングル and パワードライバーモジュールを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Nexperia USA Inc. PMPB20XNEAZ electronic components. PMPB20XNEAZ can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for PMPB20XNEAZ, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
PMPB20XNEAZ 製品の属性
品番 :
PMPB20XNEAZ
メーカー :
Nexperia USA Inc.
説明 :
MOSFET N-CH 20V SOT1220
シリーズ :
Automotive, AEC-Q101
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
20V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
7.5A (Ta)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
2.5V, 4.5V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
20 mOhm @ 7.5A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ Id :
1.25V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
15nC @ 4.5V
Vgs（最大） :
±12V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
930pF @ 10V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
460mW (Ta), 12.5W (Tc)
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ :
DFN2020MD-6
パッケージ/ケース :
6-UDFN Exposed Pad
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