メーカー :
GeneSiC Semiconductor
説明 :
DIODE MODULE 800V 250A 3TOWER
ダイオード構成 :
1 Pair Common Cathode
電流-平均整流(Io)(ダイオードごと) :
250A (DC)
電圧-フォワード(Vf)(最大)@ If :
1.2V @ 250A
速度 :
Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
動作温度-ジャンクション :
-55°C ~ 150°C
サプライヤーデバイスパッケージ :
Three Tower