GeneSiC Semiconductor - MSRT25080(A)

KEY Part #: K6470095

MSRT25080(A) 価格設定(USD) [1740個在庫]

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品番:
MSRT25080(A)
メーカー:
GeneSiC Semiconductor
詳細な説明:
DIODE MODULE 800V 250A 3TOWER.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-ブリッジ整流器, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル、プリバイアス, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ、プリバイアス, トランジスタ-JFET, サイリスタ-DIAC、SIDAC, トランジスタ-IGBT-シングル, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ and サイリスタ-トライアックを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in GeneSiC Semiconductor MSRT25080(A) electronic components. MSRT25080(A) can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for MSRT25080(A), Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

MSRT25080(A) 製品の属性

品番 : MSRT25080(A)
メーカー : GeneSiC Semiconductor
説明 : DIODE MODULE 800V 250A 3TOWER
シリーズ : -
部品ステータス : Active
ダイオード構成 : 1 Pair Common Cathode
ダイオードタイプ : Standard
電圧-DC逆方向(Vr)(最大) : 800V
電流-平均整流(Io)(ダイオードごと) : 250A (DC)
電圧-フォワード(Vf)(最大)@ If : 1.2V @ 250A
速度 : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
逆回復時間(trr) : -
電流-Vrでの逆漏れ : 15µA @ 600V
動作温度-ジャンクション : -55°C ~ 150°C
取付タイプ : Chassis Mount
パッケージ/ケース : Three Tower
サプライヤーデバイスパッケージ : Three Tower
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