GeneSiC Semiconductor - MSRTA60080(A)

KEY Part #: K6473621

MSRTA60080(A) 価格設定(USD) [880個在庫]

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品番:
MSRTA60080(A)
メーカー:
GeneSiC Semiconductor
詳細な説明:
DIODE MODULE 800V 600A 3TOWER.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-IGBT-アレイ, トランジスタ-IGBT-モジュール, ダイオード-整流器-アレイ, ダイオード-ツェナー-アレイ, トランジスタ-JFET, トランジスタ-FET、MOSFET-シングル, パワードライバーモジュール and サイリスタ-DIAC、SIDACを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in GeneSiC Semiconductor MSRTA60080(A) electronic components. MSRTA60080(A) can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for MSRTA60080(A), Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

MSRTA60080(A) 製品の属性

品番 : MSRTA60080(A)
メーカー : GeneSiC Semiconductor
説明 : DIODE MODULE 800V 600A 3TOWER
シリーズ : -
部品ステータス : Active
ダイオード構成 : 1 Pair Common Cathode
ダイオードタイプ : Standard
電圧-DC逆方向(Vr)(最大) : 800V
電流-平均整流(Io)(ダイオードごと) : 600A (DC)
電圧-フォワード(Vf)(最大)@ If : 1.2V @ 600A
速度 : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
逆回復時間(trr) : -
電流-Vrでの逆漏れ : 25µA @ 600V
動作温度-ジャンクション : -55°C ~ 150°C
取付タイプ : Chassis Mount
パッケージ/ケース : Three Tower
サプライヤーデバイスパッケージ : Three Tower
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