[4071個在庫]
- 品番:
- IRFHE4250DTRPBF
- メーカー:
- Infineon Technologies
- 詳細な説明:
- MOSFET 2N-CH 25V 86A/303A PQFN.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、サイリスタ-トライアック, トランジスタ-FET、MOSFET-RF, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ, ダイオード-RF, ダイオード-整流器-アレイ, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, トランジスタ-IGBT-アレイ and パワードライバーモジュールを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Infineon Technologies IRFHE4250DTRPBF electronic components. IRFHE4250DTRPBF can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IRFHE4250DTRPBF, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IRFHE4250DTRPBF 製品の属性
品番 :
IRFHE4250DTRPBF
メーカー :
Infineon Technologies
説明 :
MOSFET 2N-CH 25V 86A/303A PQFN
シリーズ :
FASTIRFET™
部品ステータス :
Obsolete
FETタイプ :
2 N-Channel (Dual)
FET機能 :
Logic Level Gate
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
25V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
86A, 303A
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
2.75 mOhm @ 27A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
2.1V @ 35µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
20nC @ 4.5V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
1735pF @ 13V
パワー-最大 :
156W
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
パッケージ/ケース :
32-PowerWFQFN
サプライヤーデバイスパッケージ :
32-PQFN (6x6)
最新ニュース
あなたも興味があるかもしれません
ホットパーツ
- GMM3X60-015X2-SMDSAM
- BUK9MJJ-65PLL,518
- APTM100VDA35T3G
- FDG6304P-X
- 2N7002PS/ZLX
- VMK90-02T2
- AO4914_101
- EFC6611R-A-TF
- UPA1764G-E2-AZ
- UPA2379T1P-E1-A
- FDMS3660S-F121
- AO5803E
- ECH8672-TL-H
- NSTJD1155LT1G
- SI7940DP-T1-E3
- SI5935DC-T1-GE3
- SI4567DY-T1-GE3
- IRF9358PBF
- IRF6702M2DTR1PBF
- IRF9362PBF
- IRF8852TRPBF
- FDC6020C_F077
- IRF7313QTRPBF
- FD6M043N08
- SI3911DV-T1-E3
- SI1551DL-T1-E3
- GWM160-0055P3
- NTLJD4116NT1G
- FDW2511NZ
- ZXMC3A17DN8TC
- NTQD6968NR2G
- MMDF2P02HDR2
- BSO612CV
- BSO207PNTMA1
- XP0487800L
- NDM3000
- IRF7106
- SQ4920EY-T1_GE3
- AUIRF7103QTR
- BSL207NH6327XTSA1