GeneSiC Semiconductor - MBRT60035R

KEY Part #: K6468476

MBRT60035R 価格設定(USD) [826個在庫]

  • 1 pcs$56.22437
  • 25 pcs$38.22151

品番:
MBRT60035R
メーカー:
GeneSiC Semiconductor
詳細な説明:
DIODE MODULE 35V 600A 3TOWER. Schottky Diodes & Rectifiers SI PWR SCHOTTKY 3TWR 20-100V 600A 35P/25R
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、サイリスタ-SCR, トランジスタ-IGBT-アレイ, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, サイリスタ-DIAC、SIDAC, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル、プリバイアス, ダイオード-整流器-アレイ and トランジスタ-バイポーラ(BJT)-RFを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in GeneSiC Semiconductor MBRT60035R electronic components. MBRT60035R can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for MBRT60035R, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

MBRT60035R 製品の属性

品番 : MBRT60035R
メーカー : GeneSiC Semiconductor
説明 : DIODE MODULE 35V 600A 3TOWER
シリーズ : -
部品ステータス : Active
ダイオード構成 : 1 Pair Common Anode
ダイオードタイプ : Schottky
電圧-DC逆方向(Vr)(最大) : 35V
電流-平均整流(Io)(ダイオードごと) : 600A (DC)
電圧-フォワード(Vf)(最大)@ If : 750mV @ 300A
速度 : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
逆回復時間(trr) : -
電流-Vrでの逆漏れ : 1mA @ 20V
動作温度-ジャンクション : -
取付タイプ : Chassis Mount
パッケージ/ケース : Three Tower
サプライヤーデバイスパッケージ : Three Tower
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    Power Integrations

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