Vishay Semiconductor Diodes Division - BYM12-150HE3_A/H

KEY Part #: K6439392

BYM12-150HE3_A/H 価格設定(USD) [726943個在庫]

  • 1 pcs$0.05088

品番:
BYM12-150HE3_A/H
メーカー:
Vishay Semiconductor Diodes Division
詳細な説明:
DIODE GEN PURP 150V 1A DO213AB. Rectifiers 1A,150V,50NS GL41 AEC-Q101 Qualified
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-IGBT-アレイ, サイリスタ-DIAC、SIDAC, トランジスタ-IGBT-モジュール, ダイオード-ツェナー-アレイ, ダイオード-整流器-シングル, サイリスタ-SCR, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション and サイリスタ-トライアックを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

BYM12-150HE3_A/H 製品の属性

品番 : BYM12-150HE3_A/H
メーカー : Vishay Semiconductor Diodes Division
説明 : DIODE GEN PURP 150V 1A DO213AB
シリーズ : Automotive, AEC-Q101, Superectifier®
部品ステータス : Active
ダイオードタイプ : Standard
電圧-DC逆方向(Vr)(最大) : 150V
電流-平均整流(Io) : 1A
電圧-フォワード(Vf)(最大)@ If : 1V @ 1A
速度 : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
逆回復時間(trr) : 50ns
電流-Vrでの逆漏れ : 5µA @ 150V
静電容量@ Vr、F : 20pF @ 4V, 1MHz
取付タイプ : Surface Mount
パッケージ/ケース : DO-213AB, MELF (Glass)
サプライヤーデバイスパッケージ : DO-213AB
動作温度-ジャンクション : -65°C ~ 175°C

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