Infineon Technologies - IPP80N06S2L09AKSA2

KEY Part #: K6419254

IPP80N06S2L09AKSA2 価格設定(USD) [99902個在庫]

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品番:
IPP80N06S2L09AKSA2
メーカー:
Infineon Technologies
詳細な説明:
MOSFET N-CH 55V 80A TO220-3.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、サイリスタ-DIAC、SIDAC, サイリスタ-SCR-モジュール, トランジスタ-FET、MOSFET-RF, ダイオード-ブリッジ整流器, トランジスタ-IGBT-シングル, トランジスタ-IGBT-アレイ, ダイオード-整流器-アレイ and パワードライバーモジュールを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IPP80N06S2L09AKSA2 製品の属性

品番 : IPP80N06S2L09AKSA2
メーカー : Infineon Technologies
説明 : MOSFET N-CH 55V 80A TO220-3
シリーズ : OptiMOS™
部品ステータス : Active
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 55V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 80A (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 4.5V, 10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 8.5 mOhm @ 52A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id : 2V @ 125µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 105nC @ 10V
Vgs(最大) : ±20V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 2620pF @ 25V
FET機能 : -
消費電力(最大) : 190W (Tc)
動作温度 : -55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ : Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ : PG-TO220-3-1
パッケージ/ケース : TO-220-3