GeneSiC Semiconductor - 1N3289A

KEY Part #: K6425369

1N3289A 価格設定(USD) [2920個在庫]

  • 1 pcs$14.82951
  • 50 pcs$10.02312

品番:
1N3289A
メーカー:
GeneSiC Semiconductor
詳細な説明:
DIODE GEN PURP 200V 100A DO205AA. Rectifiers SI STND RECOV DO-8 200-1400V 100A 200PV
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-IGBT-シングル, トランジスタ-特別な目的, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, ダイオード-整流器-シングル, サイリスタ-DIAC、SIDAC, トランジスタ-IGBT-アレイ, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル and トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル、プリバイアスを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in GeneSiC Semiconductor 1N3289A electronic components. 1N3289A can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for 1N3289A, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

1N3289A 製品の属性

品番 : 1N3289A
メーカー : GeneSiC Semiconductor
説明 : DIODE GEN PURP 200V 100A DO205AA
シリーズ : -
部品ステータス : Active
ダイオードタイプ : Standard
電圧-DC逆方向(Vr)(最大) : 200V
電流-平均整流(Io) : 100A
電圧-フォワード(Vf)(最大)@ If : 1.5V @ 100A
速度 : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
逆回復時間(trr) : -
電流-Vrでの逆漏れ : 24mA @ 200V
静電容量@ Vr、F : -
取付タイプ : Chassis, Stud Mount
パッケージ/ケース : DO-205AA, DO-8, Stud
サプライヤーデバイスパッケージ : DO-205AA (DO-8)
動作温度-ジャンクション : -40°C ~ 200°C
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