メーカー :
Diodes Incorporated
説明 :
MOSFET N-CH 12V 2.7A X3-DSN0808
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C :
2.7A (Ta)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) :
1.2V, 4.5V
Rds On(最大)@ Id、Vgs :
42 mOhm @ 1A, 4.5V
Vgs(th)(最大)@ Id :
700mV @ 250µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs :
15nC @ 4.5V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds :
908pF @ 6V
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
サプライヤーデバイスパッケージ :
X3-DSN0808-4
パッケージ/ケース :
4-XFBGA, CSPBGA