Vishay Semiconductor Diodes Division - US1A-E3/5AT

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品番:
US1A-E3/5AT
メーカー:
Vishay Semiconductor Diodes Division
詳細な説明:
DIODE GEN PURP 50V 1A DO214AC. Rectifiers 50 Volt 1.0A 50ns 30 Amp IFSM
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ、プリバイアス, ダイオード-ブリッジ整流器, サイリスタ-DIAC、SIDAC, トランジスタ-FET、MOSFET-RF, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル、プリバイアス, トランジスタ-IGBT-アレイ, サイリスタ-トライアック and ダイオード-整流器-アレイを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

US1A-E3/5AT 製品の属性

品番 : US1A-E3/5AT
メーカー : Vishay Semiconductor Diodes Division
説明 : DIODE GEN PURP 50V 1A DO214AC
シリーズ : -
部品ステータス : Active
ダイオードタイプ : Standard
電圧-DC逆方向(Vr)(最大) : 50V
電流-平均整流(Io) : 1A
電圧-フォワード(Vf)(最大)@ If : 1V @ 1A
速度 : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
逆回復時間(trr) : 50ns
電流-Vrでの逆漏れ : 10µA @ 50V
静電容量@ Vr、F : 15pF @ 4V, 1MHz
取付タイプ : Surface Mount
パッケージ/ケース : DO-214AC, SMA
サプライヤーデバイスパッケージ : DO-214AC (SMA)
動作温度-ジャンクション : -55°C ~ 150°C

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