Infineon Technologies - F1235R12KT4GBOSA1

KEY Part #: K6534747

[399個在庫]


    品番:
    F1235R12KT4GBOSA1
    メーカー:
    Infineon Technologies
    詳細な説明:
    IGBT F1235R12KT4GBOSA1.
    メーカーの標準リードタイム:
    在庫あり
    賞味期限:
    一年
    チップから:
    香港
    RoHS:
    支払方法:
    発送方法:
    家族のカテゴリー:
    KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル, ダイオード-ブリッジ整流器, ダイオード-ツェナー-シングル, ダイオード-RF, トランジスタ-FET、MOSFET-シングル, サイリスタ-SCR-モジュール, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション and ダイオード-可変容量(バリキャップ、バラクター)を含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
    競争上の優位性:
    We specialize in Infineon Technologies F1235R12KT4GBOSA1 electronic components. F1235R12KT4GBOSA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for F1235R12KT4GBOSA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    F1235R12KT4GBOSA1 製品の属性

    品番 : F1235R12KT4GBOSA1
    メーカー : Infineon Technologies
    説明 : IGBT F1235R12KT4GBOSA1
    シリーズ : -
    部品ステータス : Obsolete
    IGBTタイプ : Trench Field Stop
    構成 : Single
    電圧-コレクターエミッターブレークダウン(最大) : 1200V
    電流-コレクター(Ic)(最大) : 35A
    パワー-最大 : 210W
    Vce(on)(最大)@ Vge、IC : 2.15V @ 15V, 35A
    電流-コレクターのカットオフ(最大) : 1mA
    入力容量(Cies)@ Vce : 2nF @ 25V
    入力 : Standard
    NTCサーミスタ : No
    動作温度 : -40°C ~ 150°C (TJ)
    取付タイプ : Chassis Mount
    パッケージ/ケース : Module
    サプライヤーデバイスパッケージ : Module

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