メーカー :
Diodes Incorporated
説明 :
MOSFET P-CH 30V 10.2A DFN2523-6
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C :
10.2A (Ta)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) :
4.5V, 10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs :
14.5 mOhm @ 9.5A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id :
3V @ 250µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs :
90nC @ 10V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds :
4414pF @ 15V
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
サプライヤーデバイスパッケージ :
U-DFN2523-6