Toshiba Memory America, Inc. - TC58BVG2S0HBAI4

KEY Part #: K938186

TC58BVG2S0HBAI4 価格設定（USD） [19471個在庫]

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品番:: TC58BVG2S0HBAI4

メーカー:: Toshiba Memory America, Inc.

詳細な説明:: IC FLASH 4G PARALLEL 63TFBGA. NAND Flash 3.3V 4Gb 24nm SLC NAND (EEPROM)

メーカーの標準リードタイム:: 在庫あり

賞味期限:: 一年

チップから:: 香港

RoHS:

支払方法:

発送方法:

家族のカテゴリー:: KEY Components Co.、LTDは、ロジック-特殊ロジック, PMIC-現在の規制/管理, 組み込み-FPGA（フィールドプログラマブルゲートアレイ）, 組み込み-マイクロプロセッサー, PMIC-ゲートドライバー, PMIC-フル、ハーフブリッジドライバー, 組み込み-マイクロコントローラー-アプリケーション固有 and ロジック-カウンター、ディバイダーを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。

競争上の優位性:: We specialize in Toshiba Memory America, Inc. TC58BVG2S0HBAI4 electronic components. TC58BVG2S0HBAI4 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for TC58BVG2S0HBAI4, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com

GB-T-27922

ISO-9001-2015

ISO-13485

ISO-14001

ISO-28000-2007

ISO-45001-2018

TC58BVG2S0HBAI4 製品の属性

品番 : TC58BVG2S0HBAI4

メーカー : Toshiba Memory America, Inc.

説明 : IC FLASH 4G PARALLEL 63TFBGA

シリーズ : Benand™

部品ステータス : Active

メモリタイプ : Non-Volatile

メモリフォーマット : FLASH

技術 : FLASH - NAND (SLC)

メモリー容量 : 4Gb (512M x 8)

クロック周波数 : -

書き込みサイクル時間-ワード、ページ : 25ns

アクセス時間 : 25ns

メモリインターフェース : Parallel

電圧-供給 : 2.7V ~ 3.6V

動作温度 : -40°C ~ 85°C (TA)

取付タイプ : Surface Mount

パッケージ/ケース : 63-VFBGA

サプライヤーデバイスパッケージ : 63-TFBGA (9x11)

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