IXYS - IXTQ120N15T

KEY Part #: K6416989

IXTQ120N15T 価格設定(USD) [22589個在庫]

  • 1 pcs$2.10866
  • 30 pcs$2.09817

品番:
IXTQ120N15T
メーカー:
IXYS
詳細な説明:
MOSFET N-CH 150V 120A TO-3P.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-ツェナー-アレイ, サイリスタ-トライアック, ダイオード-RF, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-RF, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ、プリバイアス, トランジスタ-IGBT-アレイ, パワードライバーモジュール and ダイオード-可変容量(バリキャップ、バラクター)を含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in IXYS IXTQ120N15T electronic components. IXTQ120N15T can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IXTQ120N15T, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXTQ120N15T 製品の属性

品番 : IXTQ120N15T
メーカー : IXYS
説明 : MOSFET N-CH 150V 120A TO-3P
シリーズ : PolarHT™
部品ステータス : Active
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 150V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 120A (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : -
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 16 mOhm @ 500mA, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id : -
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 150nC @ 10V
Vgs(最大) : -
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 4900pF @ 25V
FET機能 : -
消費電力(最大) : -
動作温度 : -
取付タイプ : Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ : TO-3P
パッケージ/ケース : TO-3P-3, SC-65-3

あなたも興味があるかもしれません
  • ZVN3306A

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 60V 270MA TO92-3.

  • FQN1N60CTA

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 600V 300MA TO-92.

  • FDD8870

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 30V 160A D-PAK.

  • TK33S10N1Z,LQ

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 100V 33A DPAK.

  • IRFR4105TRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 55V 27A DPAK.

  • IRLR3636TRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 60V 50A DPAK.