IXYS - IXTQ200N10T

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IXTQ200N10T 価格設定(USD) [16611個在庫]

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品番:
IXTQ200N10T
メーカー:
IXYS
詳細な説明:
MOSFET N-CH 100V 200A TO-3P.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXTQ200N10T 製品の属性

品番 : IXTQ200N10T
メーカー : IXYS
説明 : MOSFET N-CH 100V 200A TO-3P
シリーズ : TrenchMV™
部品ステータス : Active
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 100V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 200A (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 5.5 mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id : 4.5V @ 250µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 152nC @ 10V
Vgs(最大) : ±30V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 9400pF @ 25V
FET機能 : -
消費電力(最大) : 550W (Tc)
動作温度 : -55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ : Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ : TO-3P
パッケージ/ケース : TO-3P-3, SC-65-3

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