VS-10ETF04S-M3 価格設定（USD） [92562個在庫]
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- 品番:
- VS-10ETF04S-M3
- 詳細な説明:
- DIODE GEN PURP 400V 10A D2PAK. Schottky Diodes & Rectifiers New Input Diodes - D2PAK-e3
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-JFET, トランジスタ-IGBT-モジュール, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアス, サイリスタ-DIAC、SIDAC, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアス and ダイオード-ブリッジ整流器を含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division VS-10ETF04S-M3 electronic components. VS-10ETF04S-M3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for VS-10ETF04S-M3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
VS-10ETF04S-M3 製品の属性
品番 :
VS-10ETF04S-M3
メーカー :
Vishay Semiconductor Diodes Division
説明 :
DIODE GEN PURP 400V 10A D2PAK
シリーズ :
-
部品ステータス :
Active
ダイオードタイプ :
Standard
電圧-DC逆方向（Vr）（最大） :
400V
電流-平均整流（Io） :
10A
電圧-フォワード（Vf）（最大）@ If :
1.2V @ 10A
速度 :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
逆回復時間（trr） :
200ns
電流-Vrでの逆漏れ :
100µA @ 400V
静電容量@ Vr、F :
-
取付タイプ :
Surface Mount
パッケージ/ケース :
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
サプライヤーデバイスパッケージ :
D2PAK
動作温度-ジャンクション :
-40°C ~ 150°C
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