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- 品番:
- JAN1N5618US
- メーカー:
- Microsemi Corporation
- 詳細な説明:
- DIODE GEN PURP 600V 1A D5A.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-FET、MOSFET-シングル, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ, サイリスタ-SCR, ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター）, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル, ダイオード-ツェナー-アレイ, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-RF and トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアスを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Microsemi Corporation JAN1N5618US electronic components. JAN1N5618US can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for JAN1N5618US, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
JAN1N5618US 製品の属性
品番 :
JAN1N5618US
メーカー :
Microsemi Corporation
説明 :
DIODE GEN PURP 600V 1A D5A
シリーズ :
Military, MIL-PRF-19500/429
部品ステータス :
Discontinued at Digi-Key
ダイオードタイプ :
Standard
電圧-DC逆方向（Vr）（最大） :
600V
電流-平均整流（Io） :
1A
電圧-フォワード（Vf）（最大）@ If :
1.3V @ 3A
速度 :
Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
逆回復時間（trr） :
2µs
電流-Vrでの逆漏れ :
500nA @ 600V
静電容量@ Vr、F :
-
取付タイプ :
Surface Mount
パッケージ/ケース :
SQ-MELF, A
サプライヤーデバイスパッケージ :
D-5A
動作温度-ジャンクション :
-65°C ~ 200°C
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