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Microsemi Corporation - 1N5804

KEY Part #: K6441265

1N5804 価格設定（USD） [12469個在庫]

  • 1 pcs$3.94426
  • 10 pcs$3.55028
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  • 100 pcs$2.91915
  • 250 pcs$2.68247
  • 500 pcs$2.44579
  • 1,000 pcs$2.13020
品番:
1N5804
メーカー:
Microsemi Corporation
詳細な説明:
DIODE GEN PURP 100V 1A AXIAL. Rectifiers Rectifier
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-JFET, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-RF, パワードライバーモジュール, サイリスタ-トライアック, トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアス, サイリスタ-SCR-モジュール and トランジスタ-特別な目的を含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in Microsemi Corporation 1N5804 electronic components. 1N5804 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for 1N5804, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

1N5804 製品の属性

品番 : 1N5804
メーカー : Microsemi Corporation
説明 : DIODE GEN PURP 100V 1A AXIAL
シリーズ : -
部品ステータス : Active
ダイオードタイプ : Standard
電圧-DC逆方向（Vr）（最大） : 100V
電流-平均整流（Io） : 1A
電圧-フォワード（Vf）（最大）@ If : 875mV @ 1A
速度 : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
逆回復時間（trr） : 25ns
電流-Vrでの逆漏れ : 1µA @ 100V
静電容量@ Vr、F : 25pF @ 10V, 1MHz
取付タイプ : Through Hole
パッケージ/ケース : A, Axial
サプライヤーデバイスパッケージ : -
動作温度-ジャンクション : -65°C ~ 175°C

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