Infineon Technologies - BSM50GB120DN2HOSA1

KEY Part #: K6534549

BSM50GB120DN2HOSA1 価格設定(USD) [1241個在庫]

  • 1 pcs$34.90688

品番:
BSM50GB120DN2HOSA1
メーカー:
Infineon Technologies
詳細な説明:
IGBT 2 MED POWER 34MM-1.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-ブリッジ整流器, サイリスタ-DIAC、SIDAC, トランジスタ-FET、MOSFET-RF, トランジスタ-IGBT-シングル, サイリスタ-SCR, トランジスタ-IGBT-モジュール, トランジスタ-特別な目的 and トランジスタ-IGBT-アレイを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in Infineon Technologies BSM50GB120DN2HOSA1 electronic components. BSM50GB120DN2HOSA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BSM50GB120DN2HOSA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

BSM50GB120DN2HOSA1 製品の属性

品番 : BSM50GB120DN2HOSA1
メーカー : Infineon Technologies
説明 : IGBT 2 MED POWER 34MM-1
シリーズ : -
部品ステータス : Not For New Designs
IGBTタイプ : -
構成 : Half Bridge
電圧-コレクターエミッターブレークダウン(最大) : 1200V
電流-コレクター(Ic)(最大) : 78A
パワー-最大 : 400W
Vce(on)(最大)@ Vge、IC : 3V @ 15V, 50A
電流-コレクターのカットオフ(最大) : 1mA
入力容量(Cies)@ Vce : 3.3nF @ 25V
入力 : Standard
NTCサーミスタ : No
動作温度 : 150°C (TJ)
取付タイプ : Chassis Mount
パッケージ/ケース : Module
サプライヤーデバイスパッケージ : Module

あなたも興味があるかもしれません
  • VS-CPV364M4KPBF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT SIP MODULE 600V 13A IMS-2.

  • VS-CPV362M4FPBF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT 600V 8.8A 23W IMS-2.

  • A2P75S12M3-F

    STMicroelectronics

    IGBT TRENCH 1200V 75A ACEPACK2.

  • A2P75S12M3

    STMicroelectronics

    IGBT TRENCH 1200V 75A ACEPACK2.

  • APT75GP120JDQ3

    Microsemi Corporation

    IGBT 1200V 128A 543W SOT227.

  • VKI75-06P1

    IXYS

    MOD IGBT H-BRIDGE 600V ECO-PAC2.