Diodes Incorporated - DMN3730UFB4-7B

KEY Part #: K6416425

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品番:
DMN3730UFB4-7B
メーカー:
Diodes Incorporated
詳細な説明:
MOSFET BVDSS 25V-30V X1-DFN1006.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル, パワードライバーモジュール, ダイオード-ツェナー-シングル, トランジスタ-IGBT-アレイ, ダイオード-整流器-シングル, ダイオード-可変容量(バリキャップ、バラクター), トランジスタ-バイポーラ(BJT)-RF and サイリスタ-SCRを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

DMN3730UFB4-7B 製品の属性

品番 : DMN3730UFB4-7B
メーカー : Diodes Incorporated
説明 : MOSFET BVDSS 25V-30V X1-DFN1006
シリーズ : Automotive, AEC-Q101
部品ステータス : Active
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 30V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 750mA (Ta)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 1.8V, 4.5V
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 460 mOhm @ 200mA, 4.5V
Vgs(th)(最大)@ Id : 950mV @ 250µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 1.6nC @ 4.5V
Vgs(最大) : ±8V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 64.3pF @ 25V
FET機能 : -
消費電力(最大) : 470mW (Ta)
動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ : X2-DFN1006-3
パッケージ/ケース : 3-XFDFN