STMicroelectronics - STW7N90K5

KEY Part #: K6397860

STW7N90K5 価格設定(USD) [24165個在庫]

  • 1 pcs$1.70551
  • 10 pcs$1.52086
  • 100 pcs$1.24718
  • 500 pcs$0.95813
  • 1,000 pcs$0.80806

品番:
STW7N90K5
メーカー:
STMicroelectronics
詳細な説明:
N-CHANNEL 800 V 0.75 OHM TYP..
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-特別な目的, ダイオード-ツェナー-シングル, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-RF, トランジスタ-IGBT-シングル, ダイオード-ブリッジ整流器, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ, トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ and トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル、プリバイアスを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in STMicroelectronics STW7N90K5 electronic components. STW7N90K5 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for STW7N90K5, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

STW7N90K5 製品の属性

品番 : STW7N90K5
メーカー : STMicroelectronics
説明 : N-CHANNEL 800 V 0.75 OHM TYP.
シリーズ : MDmesh™ K5
部品ステータス : Active
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 900V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 7A (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs : -
Vgs(th)(最大)@ Id : 5V @ 100µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : -
Vgs(最大) : ±30V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : -
FET機能 : -
消費電力(最大) : 110W (Tc)
動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ : TO-247-3
パッケージ/ケース : TO-247-3

あなたも興味があるかもしれません
  • IRLR024NPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 55V 17A DPAK.

  • IRLR2908PBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 80V 30A DPAK.

  • IXFY4N60P3

    IXYS

    MOSFET N-CH 600V 4A TO-252.

  • TK380A60Y,S4X

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 600V 9.7A TO220SIS.

  • TK72A12N1,S4X

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 120V 72A TO-220.

  • TK14A65W5,S5X

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 650V 13.7A TO-220.