JANTX1N5620 価格設定（USD） [13319個在庫]
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- 品番:
- JANTX1N5620
- メーカー:
- Microsemi Corporation
- 詳細な説明:
- DIODE GEN PURP 800V 1A AXIAL. ESD Suppressors / TVS Diodes D MET 1A STD 800V HR
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, トランジスタ-FET、MOSFET-シングル, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル, トランジスタ-IGBT-シングル, トランジスタ-IGBT-モジュール, トランジスタ-IGBT-アレイ and ダイオード-ブリッジ整流器を含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Microsemi Corporation JANTX1N5620 electronic components. JANTX1N5620 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for JANTX1N5620, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
JANTX1N5620 製品の属性
品番 :
JANTX1N5620
メーカー :
Microsemi Corporation
説明 :
DIODE GEN PURP 800V 1A AXIAL
シリーズ :
Military, MIL-PRF-19500/427
部品ステータス :
Active
ダイオードタイプ :
Standard
電圧-DC逆方向（Vr）（最大） :
800V
電流-平均整流（Io） :
1A
電圧-フォワード（Vf）（最大）@ If :
1.3V @ 3A
速度 :
Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
逆回復時間（trr） :
2µs
電流-Vrでの逆漏れ :
500nA @ 800V
静電容量@ Vr、F :
-
取付タイプ :
Through Hole
パッケージ/ケース :
A, Axial
サプライヤーデバイスパッケージ :
-
動作温度-ジャンクション :
-65°C ~ 200°C
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