BAS16XV2T1G 価格設定（USD） [2478702個在庫]
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- 150,000 pcs$0.00797
- 品番:
- BAS16XV2T1G
- メーカー:
- ON Semiconductor
- 詳細な説明:
- DIODE GEN PURP 75V 200MA SOD523. Diodes - General Purpose, Power, Switching 75V 200mA
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
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- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、サイリスタ-トライアック, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-RF, ダイオード-整流器-シングル, サイリスタ-SCR, トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアス, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション and ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター）を含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in ON Semiconductor BAS16XV2T1G electronic components. BAS16XV2T1G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BAS16XV2T1G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
BAS16XV2T1G 製品の属性
品番 :
BAS16XV2T1G
メーカー :
ON Semiconductor
説明 :
DIODE GEN PURP 75V 200MA SOD523
シリーズ :
-
部品ステータス :
Active
ダイオードタイプ :
Standard
電圧-DC逆方向（Vr）（最大） :
75V
電流-平均整流（Io） :
200mA (DC)
電圧-フォワード（Vf）（最大）@ If :
1.25V @ 150mA
速度 :
Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
逆回復時間（trr） :
6ns
電流-Vrでの逆漏れ :
1µA @ 75V
静電容量@ Vr、F :
2pF @ 0V, 1MHz
取付タイプ :
Surface Mount
パッケージ/ケース :
SC-79, SOD-523
サプライヤーデバイスパッケージ :
SOD-523
動作温度-ジャンクション :
-55°C ~ 150°C
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