ON Semiconductor - FQT4N20LTF

KEY Part #: K6416015

FQT4N20LTF 価格設定(USD) [370865個在庫]

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品番:
FQT4N20LTF
メーカー:
ON Semiconductor
詳細な説明:
MOSFET N-CH 200V 0.85A SOT-223.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ, ダイオード-ツェナー-シングル, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル, トランジスタ-FET、MOSFET-RF, サイリスタ-DIAC、SIDAC, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-RF, パワードライバーモジュール and トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ、プリバイアスを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FQT4N20LTF 製品の属性

品番 : FQT4N20LTF
メーカー : ON Semiconductor
説明 : MOSFET N-CH 200V 0.85A SOT-223
シリーズ : QFET®
部品ステータス : Active
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 200V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 850mA (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 5V, 10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 1.35 Ohm @ 425mA, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id : 2V @ 250µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 5.2nC @ 5V
Vgs(最大) : ±20V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 310pF @ 25V
FET機能 : -
消費電力(最大) : 2.2W (Tc)
動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ : SOT-223-4
パッケージ/ケース : TO-261-4, TO-261AA

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