FQT4N20LTF 価格設定（USD） [370865個在庫]
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- 品番:
- FQT4N20LTF
- メーカー:
- ON Semiconductor
- 詳細な説明:
- MOSFET N-CH 200V 0.85A SOT-223.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
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- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, トランジスタ-特別な目的, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-RF, ダイオード-ツェナー-アレイ, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアス, ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター）, ダイオード-RF and サイリスタ-SCR-モジュールを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in ON Semiconductor FQT4N20LTF electronic components. FQT4N20LTF can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FQT4N20LTF, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
FQT4N20LTF 製品の属性
品番 :
FQT4N20LTF
メーカー :
ON Semiconductor
説明 :
MOSFET N-CH 200V 0.85A SOT-223
シリーズ :
QFET®
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
200V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
850mA (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
5V, 10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
1.35 Ohm @ 425mA, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
2V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
5.2nC @ 5V
Vgs（最大） :
±20V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
310pF @ 25V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
2.2W (Tc)
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ :
SOT-223-4
パッケージ/ケース :
TO-261-4, TO-261AA
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