VS-SD303C10S10C 価格設定（USD） [1473個在庫]
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- 12 pcs$27.98718
- 品番:
- VS-SD303C10S10C
- 詳細な説明:
- DIODE GEN PURP 1KV 350A DO200AA. Rectifiers 1000 Volt 350 Amp
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル, トランジスタ-IGBT-アレイ, ダイオード-ツェナー-アレイ, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-RF, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアス, ダイオード-RF and トランジスタ-FET、MOSFET-シングルを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division VS-SD303C10S10C electronic components. VS-SD303C10S10C can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for VS-SD303C10S10C, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
VS-SD303C10S10C 製品の属性
品番 :
VS-SD303C10S10C
メーカー :
Vishay Semiconductor Diodes Division
説明 :
DIODE GEN PURP 1KV 350A DO200AA
シリーズ :
-
部品ステータス :
Active
ダイオードタイプ :
Standard
電圧-DC逆方向（Vr）（最大） :
1000V
電流-平均整流（Io） :
350A
電圧-フォワード（Vf）（最大）@ If :
2.26V @ 1100A
速度 :
Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
逆回復時間（trr） :
1µs
電流-Vrでの逆漏れ :
35mA @ 1000V
静電容量@ Vr、F :
-
取付タイプ :
Clamp On
パッケージ/ケース :
DO-200AA, A-PUK
サプライヤーデバイスパッケージ :
DO-200AA, A-PUK
動作温度-ジャンクション :
-
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