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Microsemi Corporation - JANTXV2N6798

KEY Part #: K6403688

[2272個在庫]

    品番:
    JANTXV2N6798
    メーカー:
    Microsemi Corporation
    詳細な説明:
    MOSFET N-CH.
    メーカーの標準リードタイム:
    在庫あり
    賞味期限:
    一年
    チップから:
    香港
    RoHS:
    支払方法:
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    家族のカテゴリー:
    KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-整流器-アレイ, ダイオード-ブリッジ整流器, トランジスタ-FET、MOSFET-シングル, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル, トランジスタ-IGBT-シングル, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション and ダイオード-ツェナー-シングルを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
    競争上の優位性:
    We specialize in Microsemi Corporation JANTXV2N6798 electronic components. JANTXV2N6798 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for JANTXV2N6798, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    JANTXV2N6798 製品の属性

    品番 : JANTXV2N6798
    メーカー : Microsemi Corporation
    説明 : MOSFET N-CH
    シリーズ : Military, MIL-PRF-19500/557
    部品ステータス : Obsolete
    FETタイプ : N-Channel
    技術 : MOSFET (Metal Oxide)
    ソース電圧へのドレイン（Vdss） : 200V
    電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C : 5.5A (Tc)
    駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） : 10V
    Rds On（最大）@ Id、Vgs : 420 mOhm @ 5.5A, 10V
    Vgs（th）（最大）@ Id : 4V @ 250µA
    ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs : 42.07nC @ 10V
    Vgs（最大） : ±20V
    入力容量（Ciss）（最大）@ Vds : -
    FET機能 : -
    消費電力（最大） : 800mW (Ta), 25W (Tc)
    動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
    取付タイプ : Through Hole
    サプライヤーデバイスパッケージ : TO-205AF (TO-39)
    パッケージ/ケース : TO-205AF Metal Can

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