Vishay Semiconductor Diodes Division - SS13HE3/5AT

KEY Part #: K6446725

[1668個在庫]


    品番:
    SS13HE3/5AT
    メーカー:
    Vishay Semiconductor Diodes Division
    詳細な説明:
    DIODE SCHOTTKY 30V 1A DO214AC.
    メーカーの標準リードタイム:
    在庫あり
    賞味期限:
    一年
    チップから:
    香港
    RoHS:
    支払方法:
    発送方法:
    家族のカテゴリー:
    KEY Components Co.、LTDは、サイリスタ-DIAC、SIDAC, ダイオード-ブリッジ整流器, トランジスタ-特別な目的, ダイオード-可変容量(バリキャップ、バラクター), トランジスタ-JFET, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, トランジスタ-IGBT-アレイ and ダイオード-ツェナー-シングルを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
    競争上の優位性:
    We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division SS13HE3/5AT electronic components. SS13HE3/5AT can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SS13HE3/5AT, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    SS13HE3/5AT 製品の属性

    品番 : SS13HE3/5AT
    メーカー : Vishay Semiconductor Diodes Division
    説明 : DIODE SCHOTTKY 30V 1A DO214AC
    シリーズ : -
    部品ステータス : Obsolete
    ダイオードタイプ : Schottky
    電圧-DC逆方向(Vr)(最大) : 30V
    電流-平均整流(Io) : 1A
    電圧-フォワード(Vf)(最大)@ If : 500mV @ 1A
    速度 : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
    逆回復時間(trr) : -
    電流-Vrでの逆漏れ : 200µA @ 30V
    静電容量@ Vr、F : -
    取付タイプ : Surface Mount
    パッケージ/ケース : DO-214AC, SMA
    サプライヤーデバイスパッケージ : DO-214AC (SMA)
    動作温度-ジャンクション : -65°C ~ 125°C

    あなたも興味があるかもしれません
    • IDB18E120ATMA1

      Infineon Technologies

      DIODE GEN PURP 1.2KV 31A TO263-3.

    • MBR1650HE3/45

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      DIODE SCHOTTKY 50V 16A TO220AB.

    • SRP600J-E3/54

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      DIODE GEN PURP 600V 6A P600.

    • BYM07-400HE3/98

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      DIODE GEN PURP 400V 500MA DO213.

    • SBLB1040-E3/45

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      DIODE SCHOTTKY 40V 10A TO263AB.

    • NSB8DTHE3/45

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      DIODE GEN PURP 200V 8A TO263AB.