Infineon Technologies - IPAN60R800CEXKSA1

KEY Part #: K6399510

IPAN60R800CEXKSA1 価格設定(USD) [85018個在庫]

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品番:
IPAN60R800CEXKSA1
メーカー:
Infineon Technologies
詳細な説明:
MOSFET NCH 600V 8.4A TO220.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、サイリスタ-DIAC、SIDAC, ダイオード-整流器-シングル, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-RF, サイリスタ-トライアック, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, トランジスタ-IGBT-アレイ and トランジスタ-FET、MOSFET-アレイを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IPAN60R800CEXKSA1 製品の属性

品番 : IPAN60R800CEXKSA1
メーカー : Infineon Technologies
説明 : MOSFET NCH 600V 8.4A TO220
シリーズ : CoolMOS™
部品ステータス : Active
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 600V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 8.4A (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 800 mOhm @ 2A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id : 3.5V @ 170µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 17.2nC @ 10V
Vgs(最大) : ±20V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 373pF @ 100V
FET機能 : Super Junction
消費電力(最大) : 27W (Tc)
動作温度 : -40°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ : PG-TO220 Full Pack
パッケージ/ケース : TO-220-3 Full Pack

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