JANTXV1N5619 価格設定（USD） [8362個在庫]
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- 品番:
- JANTXV1N5619
- メーカー:
- Microsemi Corporation
- 詳細な説明:
- DIODE GEN PURP 600V 1A AXIAL. Zener Diodes D MET 1A FAST 600V HRV
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
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- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアス, ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター）, トランジスタ-IGBT-シングル, トランジスタ-IGBT-アレイ, サイリスタ-SCR, サイリスタ-SCR-モジュール, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-RF and トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
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JANTXV1N5619 製品の属性
品番 :
JANTXV1N5619
メーカー :
Microsemi Corporation
説明 :
DIODE GEN PURP 600V 1A AXIAL
シリーズ :
Military, MIL-PRF-19500/429
部品ステータス :
Active
ダイオードタイプ :
Standard
電圧-DC逆方向（Vr）（最大） :
600V
電流-平均整流（Io） :
1A
電圧-フォワード（Vf）（最大）@ If :
1.6V @ 3A
速度 :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
逆回復時間（trr） :
250ns
電流-Vrでの逆漏れ :
500nA @ 600V
静電容量@ Vr、F :
25pF @ 12V, 1MHz
取付タイプ :
Through Hole
パッケージ/ケース :
A, Axial
サプライヤーデバイスパッケージ :
-
動作温度-ジャンクション :
-65°C ~ 175°C
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