FFSB1065B-F085 価格設定（USD） [32782個在庫]
- 1 pcs$1.25723
- 品番:
- FFSB1065B-F085
- メーカー:
- ON Semiconductor
- 詳細な説明:
- 650V 10A SIC SBD GEN1.5. Schottky Diodes & Rectifiers 650V 10A SIC SBD G EN1.5
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアス, トランジスタ-IGBT-アレイ, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-RF, トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, トランジスタ-JFET, ダイオード-ブリッジ整流器, ダイオード-ツェナー-シングル and トランジスタ-FET、MOSFET-シングルを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in ON Semiconductor FFSB1065B-F085 electronic components. FFSB1065B-F085 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FFSB1065B-F085, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
FFSB1065B-F085 製品の属性
品番 :
FFSB1065B-F085
メーカー :
ON Semiconductor
説明 :
650V 10A SIC SBD GEN1.5
シリーズ :
Automotive, AEC-Q101
部品ステータス :
Active
ダイオードタイプ :
Silicon Carbide Schottky
電圧-DC逆方向（Vr）（最大） :
650V
電流-平均整流（Io） :
27A (DC)
電圧-フォワード（Vf）（最大）@ If :
1.7V @ 10A
速度 :
No Recovery Time > 500mA (Io)
逆回復時間（trr） :
0ns
電流-Vrでの逆漏れ :
40µA @ 650V
静電容量@ Vr、F :
421pF @ 1V, 100kHz
取付タイプ :
Surface Mount
パッケージ/ケース :
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
サプライヤーデバイスパッケージ :
D2PAK-3 (TO-263)
動作温度-ジャンクション :
-55°C ~ 175°C
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