DF200R12KE3HOSA1 価格設定（USD） [992個在庫]
- 1 pcs$46.80541
- 品番:
- DF200R12KE3HOSA1
- メーカー:
- Infineon Technologies
- 詳細な説明:
- IGBT MODULE VCES 1200V 200A.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-IGBT-シングル, パワードライバーモジュール, ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター）, ダイオード-ブリッジ整流器, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-RF, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ and サイリスタ-DIAC、SIDACを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Infineon Technologies DF200R12KE3HOSA1 electronic components. DF200R12KE3HOSA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for DF200R12KE3HOSA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
DF200R12KE3HOSA1 製品の属性
品番 :
DF200R12KE3HOSA1
メーカー :
Infineon Technologies
説明 :
IGBT MODULE VCES 1200V 200A
シリーズ :
-
部品ステータス :
Active
IGBTタイプ :
-
構成 :
Single
電圧-コレクターエミッターブレークダウン（最大） :
1200V
電流-コレクター（Ic）（最大） :
-
パワー-最大 :
1040W
Vce（on）（最大）@ Vge、IC :
2.15V @ 15V, 200A
電流-コレクターのカットオフ（最大） :
5mA
入力容量（Cies）@ Vce :
14nF @ 25V
入力 :
Standard
NTCサーミスタ :
No
動作温度 :
-40°C ~ 125°C
取付タイプ :
Chassis Mount
パッケージ/ケース :
Module
サプライヤーデバイスパッケージ :
Module
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