ON Semiconductor - FDMC86139P

KEY Part #: K6396369

FDMC86139P 価格設定(USD) [129208個在庫]

  • 1 pcs$0.28769
  • 3,000 pcs$0.28626

品番:
FDMC86139P
メーカー:
ON Semiconductor
詳細な説明:
MOSFET P-CH 100V 4.4A 8MLP.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ、プリバイアス, トランジスタ-IGBT-モジュール, トランジスタ-FET、MOSFET-シングル, トランジスタ-FET、MOSFET-RF, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-RF, トランジスタ-IGBT-アレイ, ダイオード-可変容量(バリキャップ、バラクター) and サイリスタ-SCRを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in ON Semiconductor FDMC86139P electronic components. FDMC86139P can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FDMC86139P, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FDMC86139P 製品の属性

品番 : FDMC86139P
メーカー : ON Semiconductor
説明 : MOSFET P-CH 100V 4.4A 8MLP
シリーズ : PowerTrench®
部品ステータス : Active
FETタイプ : P-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 100V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 4.4A (Ta), 15A (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 6V, 10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 67 mOhm @ 4.4A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id : 4V @ 250µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 22nC @ 10V
Vgs(最大) : ±25V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 1335pF @ 50V
FET機能 : -
消費電力(最大) : 2.3W (Ta), 40W (Tc)
動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ : 8-MLP (3.3x3.3)
パッケージ/ケース : 8-PowerWDFN