Diodes Incorporated - ZXMN2A03E6TC

KEY Part #: K6411066

[13920個在庫]


    品番:
    ZXMN2A03E6TC
    メーカー:
    Diodes Incorporated
    詳細な説明:
    MOSFET N-CH 20V 3.7A SOT23-6.
    メーカーの標準リードタイム:
    在庫あり
    賞味期限:
    一年
    チップから:
    香港
    RoHS:
    支払方法:
    発送方法:
    家族のカテゴリー:
    KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-ブリッジ整流器, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル、プリバイアス, トランジスタ-JFET, トランジスタ-IGBT-アレイ, サイリスタ-SCR-モジュール, トランジスタ-特別な目的, ダイオード-ツェナー-アレイ and トランジスタ-FET、MOSFET-シングルを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
    競争上の優位性:
    We specialize in Diodes Incorporated ZXMN2A03E6TC electronic components. ZXMN2A03E6TC can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for ZXMN2A03E6TC, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    ZXMN2A03E6TC 製品の属性

    品番 : ZXMN2A03E6TC
    メーカー : Diodes Incorporated
    説明 : MOSFET N-CH 20V 3.7A SOT23-6
    シリーズ : -
    部品ステータス : Obsolete
    FETタイプ : N-Channel
    技術 : MOSFET (Metal Oxide)
    ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 20V
    電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 3.7A (Ta)
    駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 2.5V, 4.5V
    Rds On(最大)@ Id、Vgs : 55 mOhm @ 7.2A, 4.5V
    Vgs(th)(最大)@ Id : 700mV @ 250µA
    ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 8.2nC @ 4.5V
    Vgs(最大) : ±12V
    入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 837pF @ 10V
    FET機能 : -
    消費電力(最大) : 1.1W (Ta)
    動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
    取付タイプ : Surface Mount
    サプライヤーデバイスパッケージ : SOT-23-6
    パッケージ/ケース : SOT-23-6

    あなたも興味があるかもしれません
    • SSN1N45BBU

      ON Semiconductor

      MOSFET N-CH 450V 500MA TO-92.

    • ZVP4424ASTOB

      Diodes Incorporated

      MOSFET P-CH 240V 0.2A TO92-3.

    • ZVP4424ASTOA

      Diodes Incorporated

      MOSFET P-CH 240V 0.2A TO92-3.

    • ZVP4105ASTOB

      Diodes Incorporated

      MOSFET P-CH 50V 0.175A TO92-3.

    • ZVP4105ASTOA

      Diodes Incorporated

      MOSFET P-CH 50V 0.175A TO92-3.

    • ZVP3310ASTOB

      Diodes Incorporated

      MOSFET P-CH 100V 0.14A TO92-3.