NSV60101DMR6T1G 価格設定（USD） [674757個在庫]
- 1 pcs$0.05482
- 品番:
- NSV60101DMR6T1G
- メーカー:
- ON Semiconductor
- 詳細な説明:
- 60V 1A DUAL NPN LOW VCE.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-特別な目的, パワードライバーモジュール, ダイオード-ツェナー-シングル, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ, サイリスタ-トライアック, ダイオード-整流器-シングル, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアス and ダイオード-RFを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in ON Semiconductor NSV60101DMR6T1G electronic components. NSV60101DMR6T1G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for NSV60101DMR6T1G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
NSV60101DMR6T1G 製品の属性
品番 :
NSV60101DMR6T1G
メーカー :
ON Semiconductor
説明 :
60V 1A DUAL NPN LOW VCE
シリーズ :
Automotive, AEC-Q101
部品ステータス :
Active
トランジスタータイプ :
2 NPN (Dual)
電流-コレクター（Ic）（最大） :
1A
電圧-コレクターエミッターブレークダウン（最大） :
60V
Vce飽和（最大）@ Ib、Ic :
200mV @ 100mA, 1A
電流-コレクターのカットオフ（最大） :
100nA (ICBO)
DC電流ゲイン（hFE）（最小）@ Ic、Vce :
250 @ 100mA, 5V
パワー-最大 :
530mW
頻度-遷移 :
200MHz
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
パッケージ/ケース :
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
サプライヤーデバイスパッケージ :
SC-74
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