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ON Semiconductor - NSV60101DMR6T1G

KEY Part #: K6392548

NSV60101DMR6T1G 価格設定（USD） [674757個在庫]

  • 1 pcs$0.05482
品番:
NSV60101DMR6T1G
メーカー:
ON Semiconductor
詳細な説明:
60V 1A DUAL NPN LOW VCE.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-ブリッジ整流器, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアス, パワードライバーモジュール, トランジスタ-IGBT-シングル, ダイオード-ツェナー-アレイ, トランジスタ-IGBT-モジュール and ダイオード-ツェナー-シングルを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in ON Semiconductor NSV60101DMR6T1G electronic components. NSV60101DMR6T1G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for NSV60101DMR6T1G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

NSV60101DMR6T1G 製品の属性

品番 : NSV60101DMR6T1G
メーカー : ON Semiconductor
説明 : 60V 1A DUAL NPN LOW VCE
シリーズ : Automotive, AEC-Q101
部品ステータス : Active
トランジスタータイプ : 2 NPN (Dual)
電流-コレクター（Ic）（最大） : 1A
電圧-コレクターエミッターブレークダウン（最大） : 60V
Vce飽和（最大）@ Ib、Ic : 200mV @ 100mA, 1A
電流-コレクターのカットオフ（最大） : 100nA (ICBO)
DC電流ゲイン（hFE）（最小）@ Ic、Vce : 250 @ 100mA, 5V
パワー-最大 : 530mW
頻度-遷移 : 200MHz
動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Surface Mount
パッケージ/ケース : SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
サプライヤーデバイスパッケージ : SC-74

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