Toshiba Semiconductor and Storage - ULN2803AFWG,C,EL

KEY Part #: K6392159

[6270個在庫]


    品番:
    ULN2803AFWG,C,EL
    メーカー:
    Toshiba Semiconductor and Storage
    詳細な説明:
    TRANS 8NPN DARL 50V 0.5A 18SOL.
    メーカーの標準リードタイム:
    在庫あり
    賞味期限:
    一年
    チップから:
    香港
    RoHS:
    支払方法:
    発送方法:
    家族のカテゴリー:
    KEY Components Co.、LTDは、サイリスタ-DIAC、SIDAC, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ, サイリスタ-SCR-モジュール, サイリスタ-トライアック, サイリスタ-SCR, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ、プリバイアス, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション and ダイオード-整流器-シングルを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
    競争上の優位性:
    We specialize in Toshiba Semiconductor and Storage ULN2803AFWG,C,EL electronic components. ULN2803AFWG,C,EL can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for ULN2803AFWG,C,EL, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    ULN2803AFWG,C,EL 製品の属性

    品番 : ULN2803AFWG,C,EL
    メーカー : Toshiba Semiconductor and Storage
    説明 : TRANS 8NPN DARL 50V 0.5A 18SOL
    シリーズ : -
    部品ステータス : Obsolete
    トランジスタータイプ : 8 NPN Darlington
    電流-コレクター(Ic)(最大) : 500mA
    電圧-コレクターエミッターブレークダウン(最大) : 50V
    Vce飽和(最大)@ Ib、Ic : 1.6V @ 500µA, 350mA
    電流-コレクターのカットオフ(最大) : -
    DC電流ゲイン(hFE)(最小)@ Ic、Vce : 1000 @ 350mA, 2V
    パワー-最大 : 1.31W
    頻度-遷移 : -
    動作温度 : -40°C ~ 85°C (TA)
    取付タイプ : Surface Mount
    パッケージ/ケース : 18-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
    サプライヤーデバイスパッケージ : 18-SOL

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